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华中b)Cs2AgBiCl6中Σ5(310)GB处Cli掺入对能带结构调控的示意图。更为重要的是，分部低能量的Σ5(310)晶界会在第I类和第II类HDP的带隙中间产生深能级缺陷态，分部这些深能级缺陷态有可能会成为电子-空穴复合中心而极大地损害HDP的服役性能。

此外，推动和很多其他半导体类似，本工作研究者发现在被缺陷或缺陷复合物钝化后的晶界中会出现能带弯曲的现象，这有利于HDP薄膜中载流子的分离。清华大学材料学院博士生徐健为论文第一作者，项电消纳合作者包括北京计算科学研究中心的黄兵研究员。